ソフトエラー対策用低αSn/Bi

概要

半導体素子へのα(アルファ)線の入射により、電子機器中のメモリチップなどが誤動作を引き起こすソフトエラーが問題視されています。当社は独自に開発した精製技術を用い、錫(Sn)に含まれる金属不純物、特にα線放射元素である鉛(Pb)を削減することで、α線量の発生を安定して0.001cph/cm2以下に抑制できる錫を開発、製造しています。
メタルは、メッキ向けのアノードや溶解用のインゴット、ナゲットなどご希望の形状に加工可能です。また、酸化錫(SnO)のご提供も可能です。
また、低融点のはんだ接合のニーズに応え、低αビスマス(Bi)も開発中です。

用途例

ご採用のメリット

  • 当社独自の製法により、錫に含まれる金属不純物、特にα線放射元素を削減しています。
    • Sn純度: 5N(99.999%、αカウント≦0.002cph/cm2), 6N(99.9999%、αカウント≦0.001cph/cm2)
    • Bi純度: 4N(99.99%、αカウント≦0.05cph/cm2), 5N5(99.9995%、αカウント≦0.002cph/cm2)
  • α線放射量は低い値で安定しており、経時変化しません。

    半導体素子へのα線の入射により起こるソフトエラー(メモリ中のデータが書き換えられる現象)を低減出来ます。

JX 低αSnの特徴

  • 金属不純物(Impurities)

JX 低αBiの特徴

独自の精製技術によりα線発生源であるPoを除去し、低α化を実現しております。

よくある質問

低αSnについて、経時変化しないとのことだが、具体的にどれくらいの期間でしょうか。

最長で鋳造後16か月の測定実績があります。

低αSnについて、低αSnについて、市中品など通常はどのくらいα線量が出るものなのでしょうか。

その製品によりますが、数cph/cm2程度です。

低αBiは開発品ということだが、サンプルの提供は可能でしょうか。

可能です。

次世代デバイス向け高機能材料に関連する他の製品