化合物半導体基板
（InP、CdZnTe）
概要
化合物半導体基板（InP）は、インターネット通信量の増大、高速化等に伴い、ますます重要性を増してきた光通信網の受発光デバイスや、移動通信に用いられる超高速トランジスタ等、身近な所で用いられています。IoT社会の到来を控え、今後も需要拡大することが期待されています。
用途例
InP基板の特徴
- 光通信用の受発光素子材料として必須であるInP基板を長年提供しております。
- 世界最高レベルの品質で世界トップシェアを維持しております。
- デバイス品質向上のため、高い加工精度のウェハを提供しております。
＊Total Thickness Variation
InPの新しい用途へのご提案
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高性能な衝突防止センサを実現可能
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目に安全な波長でのレーザーレーダーを実現可能
CdZnTe基板の特徴
- 当社独自の単結晶育成方法を用いることで、世界最高の高品質、大面積のCdZnTe単結晶を実現しております。
- 他マテリアルに比べCdZnTeは高精度な放射線検出が可能で、安定したX線検出を可能にします。
- 大型の赤外線センサを実現可能にする均一なZn濃度をもつ基板を提供しています。
化合物半導体基板ラインアップ
| InP | Size | Orientation | Dopant |
|---|---|---|---|
| 2inch 3inch 4inch | (100) | S, Sn, Zn, Fe, None |
| CdZnTe | Size(mm) | Orientation | Dopant |
|---|---|---|---|
| 10×10- 95×95 | (111),(211),(100) | Zn, None |
よくある質問
導入実績を教えてください。
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ワールドワイドのお客様に40年以上の販売実績がございます。
他社品との違いを教えてください。
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エピ後のモフォロジー最適化基板の面方位を最適化することでエピタキシャル成長後の表面モフォロジーの最適化を実現しております。
裏面加工後の割れ防止基板エッジ形状の最適化によりデバイス作成時の裏面加工プロセス中におけるエッジ部の割れ防止を実現しています。